RANDOM-ACCESS MEMORY (RAM) [ˈrændəm ˈækses ˈmem(ə)rɪ] (рэндэм эксес мемери) Оперативная память (ОЗУ) 1. For the software based on microsoft. net platform clock rate should be not lower than 2 GHz, random-access memory - not less than 2 GB. — Для работы программ на базе технологии microsoft. net: тактовая частота не ниже 2 ГГц, оперативная память - не менее 2 Гб. 2. A cell of random-access memory (MRAM) has a structure similar to the spin-valve sensor — Ячейка оперативной памяти (MRAM) состоит из структуры, подобной датчику на спиновом клапане. 3. Ferroelectric RAM is a random-access memory similar in construction to DRAM but using a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non-volatility. — Сегнетоэлектрическая оперативная память - оперативная память, по своему устройству схожая с DRAM, но использующая слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя для обеспечения энергонезависимости.