​Samsung представила революционную оперативную память на 512 ГБ 6 апреля техногигант разместил на своём канале видео, показывающее последние возможности модульной технологии DDR5−7200 МГц. Новые модули RAM DDR5 ёмкостью 512 ГБ используют более совершенную технологию многослойной укладки памяти, позволяя разместить сразу 8 слоёв чипов DDR5. Это стало возможно благодаря шлифовке кремниевых слоёв и уменьшения расстояния между ними. При этом скорость работы новой памяти достигает 6400 Мбит/с, что в два раза быстрее предыдущего поколения, аа энергоэффективность лучше, чем у предыдущего поколения на 30%. Цена и дата начала массового производства пока неизвестны.