​​Новая архитектура позволит смартфонам работать неделю без зарядки IBM и Samsung представили новую конструкцию полупроводникового чипа. Она, по словам представителей компаний, может обеспечить следование закона Мура. Прорывная архитектура предусматривает, что транзисторы встроены в чип таким образом, чтобы пропускать вертикальный ток. А значит устройство становится более компактным. Так можно создать смартфон, который работает неделями без подзарядки. По идее инженеров, новый способ заключается в вертикальном расположении транзисторов в чипах вместо привычного горизонтального. Разработчики считают, что технология Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) придет на смену существующей FinFET. В данном случае электроэнергия подается вертикально, что заметно оптимизирует ее распределение по компонентам чипов. По результатам эксперимента специалисты подтвердили, что новый подход помогает сократить потребление электроэнергии. Представители компании отметили, что планируют в два раза улучшить производительность или сократить потребления энергии на 85% по сравнению с технологией FinFET. Также благодаря VTFET можно обойти ограничения, налагаемые законом Мура — это наблюдение, согласно которому количество транзисторов удваивается каждые 24 месяца. По словам компаний, благодаря VTFET-технологии появятся аккумуляторы для смартфонов, которые смогут работать на одной зарядке не один день, а неделю, и будут менее затратными в задачах вроде криптомайнинга и шифрования данных. Также технология откроет путь к созданию более мощных IoT-устройств и даже космических аппаратов.