SK hynix на конференции ISSCC 2023 презентовала идею флеш-памяти 3D NAND с более чем 300 слоями. Разработчики стремятся повысить пропускную способность чипов со 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с. В новой 3D NAND увеличилось число слоёв и сократился шаг между ними, что ведёт росту сопротивления линии wordline (WL), соединяющей ячейки в строке матрицы. Если этот рост не компенсировать, то быстродействие и энергоэффективность снизятся.