🔬 Технология изготовления МДП интегральных схем 💡 Фильм о советских технологиях по микроэлектронике в области изготовления МДП (металл, диэлектрик, полупроводник) интегральных схем. В фильме объясняется работа МДП-транзистора. 1979 год. Полевой (униполярный) транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они уходят из канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором. Полевой транзистор с изолированным затвором (англ. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) — это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от канала слоем диэлектрика. В 1953 году Джордж Клемент Дейси и Росс предложили и реализовали конструкцию полевого транзистора — с управляющим p-n-переходом. Впервые идея регулировки потока основных носителей электрическим полем в транзисторе с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в 1926—1928 годах. Однако трудности в реализации этой идеи на практике позволили создать первый работающий прибор только в 1960 году. В 1966 году Карвер Мид усовершенствовал эту конструкцию, шунтировав электроды такого прибора диодом Шоттки. В 1977 году Джеймс Маккаллахем из Bell Labs установил, что использование полевых транзисторов может существенно увеличить производительность существующих вычислительных систем. #атомная_физика #химия #физика #physics #видеоуроки #электроника #схемотехника #electronics 💡 Physics.Math.Code