#продукция_АО_НИИЭТ Силовой GaN-транзистор ТНГ-К 20040 GaN силовой транзистор для работы в ключевом режиме. Поставляется в металлокерамическом корпусе КТ-93 или пластиковом корпусе DFN8L(8х8). Быстрое и контролируемое время спада и нарастания. Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В). Основные параметры: Максимально допустимое напряжение сток-исток UСИ = 200 В; Максимальный постоянный ток стока IC = 40 А; Сопротивление сток-исток в открытом состоянии RСИ отк = 50 мОм. Область применения: зарядные устройства для различных гаджетов, электромобилей, системы управления электродвигателями, системы преобразования электрической энергии для альтернативных источников (солнечные батареи, ветрогенераторы), системы питания беспроводных устройств и космических аппаратов, робототехника, медицинские изделия и др. Ознакомиться подробнее