В НИТУ «МИСиС» разработан широкозонный полупроводник с «дырочной» проводимостью Российскими учеными установлено, что широкозонный полупроводник на основе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области.