Учёные из России и Китая разработали технологию для создания электроники нового типа Группа учёных из России и Китая создаёт прототип первого элемента магнитной памяти. В основе разработки новая область физики — спин-орбитроника. Магнитная память может в будущем дополнить или заменить традиционные полупроводниковые технологии.