Samsung запустил производство пробной партии 3-нанометровых чипов. Согласно южнокорейским СМИ, первым заказчиком стал китайский производитель майнингового оборудования. «По сравнению с 5-нм техпроцессом 3-нм техпроцесс первого поколения позволяет снизить энергопотребление до 45%, повысить производительность на 23% и повысить плотность размещения на 16%», — говорится в заявлении Samsung. В компании заявили, что изменили структуру транзисторов в рамках 3-нм технологии. Помимо транзисторов с окружающим затвором (GAA), говорится о компоновке MBCFET и использовании наностраниц при формировании каналов транзистора.