Samsung опередила TSMC и начала поставки чипов GAA 3 нм Samsung начала поставки чипов 3 нм GAA (транзисторы с универсальным затвором). Благодаря GAA даётся больший контроль над током и энергоэффективность растёт. TSMC продолжает применять конструкцию транзисторов FinFET предыдущего поколения в своих чипах 3 нм Дальше техпроцесс 3 нм GAA будет применяться для производства чипов для смартфонов, в том числе Samsung Exynos 2300, а может и в Snapdragon 8 Gen 2. Энергопотребление уменьшится на 45% и производительность вырастет на 23% по сравнению с техпроцессом 5 нм. Второе поколение 3 нм GAA может снизит энергопотребление на 50% и увеличить производительность на 30%. Это означается более быстрые смартфоны с большей продолжительностью работы