Samsung начала разрабатывать модули памяти DDR6 с частотой 12 800 МГц Вице-президент Samsung Test & System Package, Йонгван Ко (Younggwan Ко) заявил, что при производстве DDR6 будет использоваться технология MSAP, которая позволит увеличить полезную площадь микросхем памяти, но при этом их размеры не только не увеличатся, а даже, наоборот, уменьшатся. Дизайн нового поколения DDR6 будет завершен в 2024 году. Но реализация начнется не раньше 2025 года. Ожидается, что базовая частота памяти DDR6 по спецификациям JEDEC составит 12 800 МГц. При этом будет поддерживаться разгон до 17 000 МГц.