❗️Первое в России производство транзисторов на основе нитрида галлия запустят в Москве ▫️Резидент особой экономической зоны (ОЭЗ) "Технополис "Москва" - Зеленоградский нанотехнологический центр (АО "ЗНТЦ") - запустит первую в России экспериментальную линию по выпуску кристаллов транзисторов на основе нитрида галлия. Об этом сообщили в пресс-службе столичного департамента инвестиционной и промышленной политики. ▫️"Компания "ЗНТЦ", расположенная на площадке "МИЭТ" особой экономической зоны Москвы, завершила очередной этап подготовки инфраструктуры для выпуска кристаллов транзисторов на основе нитрида галлия - строительство и ввод в эксплуатацию участка для экспериментального производства. Предприятие вложило в проект около 1 млрд рублей. Это первое подобное производство в России", - сказал заместитель мэра Москвы по вопросам экономической политики и имущественно-земельных отношений Владимир Ефимов, его слова приводятся в сообщении пресс-службы. ▫️В пресс-службе отметили, что нитрид галлия является одним из самых востребованных и перспективных материалов современной электроники. Развитие технологий на основе этого полупроводника имеет стратегическое значение для таких отраслей, как телекоммуникации, автомобильная промышленность, промышленная автоматика и энергетика. Зеленоградский нанотехнологический центр специализируется на разработке и производстве ЭКБ-датчиков и сенсоров для систем промышленной автоматики, энергетики, нефтегазовой промышленности, интеллектуальных систем управления. ▫️Как уточнил руководитель департамента инвестиционной и промышленной политики Владислав Овчинский, по прогнозам ведущих аналитиков отрасли, среднегодовой темп роста мирового рынка силовой электроники на нитриде галлия в ближайшие два года составит 85%. Важными преимуществами транзисторов на основе этого полупроводника являются быстродействие в сравнении с изделиями, созданными по другим технологиям - Mosfet и IGBT, а также возможность работы при сильном напряжении и высокая надежность. "ЗНТЦ" планирует начать мелкосерийное производство микроэлектроники на нитриде галлия по базовым технологиям в 2023 году.