АО «НИИЭТ» в сотрудничестве с АО «Светлана-Рост» завершило разработку серии из двух полностью отечественных мощных СВЧ GaN-транзисторов Транзисторы предназначены для работы в S-диапазоне частот и характеризуются выходной мощностью 14 и 90 Вт при компрессии коэффициента усиления на 1 дБ при напряжении питания 40 В в диапазоне частот 2,9-3,2 ГГц и изготавливаются в металлокерамических корпусах. Данные изделия являются альтернативой зарубежным транзисторам IGN2731M5, IGN2732M10, IGN2731M80 и IGN2932M75 фирмы Integra Technologies (США) и могут быть использованы для их импортозамещения. Разработанные приборы выполнены на основе новейших транзисторных кристаллов производства АО «Светлана-Рост», которые изготавливаются по инновационной HEMT-технологии нитрид галлия на карбиде кремния и соответствуют современному мировому уровню. Ключевой особенностью разработанных транзисторов является то, что цикл их производства от выращивания SiC-подложки c эпитаксиальными слоями до герметизации корпуса – проходит на территории Российской Федерации. Данный аспект означает полную независимость от комплектующих иностранного производства и позволяет потребителю быть уверенным в сроках и возможности поставки. https://niiet.ru/26_01_2023/