Samsung и IBM преодолели физический барьер в 1 нм в создании микропроцессоров IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в проектировании полупроводниковых микросхем. Партнерам удалось создать «вертикально расположенные транзисторы» — конструкцию чипов, в которой часть компонентов устанавливается перпендикулярно друг к другу. Уже на первом этапе разработки система оказалась способна удвоить производительность микросхем или снизить их энергопотребление на 85%. Технология позволит обойти закон Мура и, в частности, создать смартфоны, работающие неделю без подзарядки, рассказали в IBM. hightech.plus/2021/12…cessorov