Samsung Electronics сообщила о разработке первой в отрасли памяти DDR5 12-нм класса. Чип 12-нм памяти DDR5 представляет собой 16-гигабитную микросхему. Скорость обмена данными по каждому контакту составляет 7,2 Гбит/с. С такой скоростью обработка чипом двух 4K-фильмов объёмом 30 Гбайт займёт всего одну секунду. При этом потребление 12-нм памяти снижено на 23 % по сравнению с памятью предыдущего поколения, что станет очень заметным на типично огромных массивах памяти для приложений ИИ, машинного обучения и обработки больших данных. Массовое производство 12-нм чипов компания начнёт в 2023 году.