Samsung начала массовое производство памяти 3D V-NAND 8-го поколения — для SSD с PCIe 5.0 и скоростью 12,4 ГБ/с. Новые микросхемы имеют ёмкость 1 Тбит (128 Гбайт) и, предположительно, состоят из 236 слоёв. Чипы способны обеспечить скорость передачи на уровне 2400 МТ/с.