Обложка канала

ИОНХ РАН. Химия в России и за рубежом

Новости химической науки, информация о научных исследованиях, публикациях, конференциях и грантах от ведущего химического института РФ.

ИОНХ РАН. Химия в России и за рубежом

3 года назад
Открыть в
Новые слоистые висмутиды со сверхпроводящими свойствами Международный коллектив ученых из Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова, Физического института им. П. Н. Лебедева РАН, Высшей школы экономик, Института твердого тела и материалов имени Лейбница (Германия, Дрезден), Института физики твердого тела РАН синтезировал и изучил соединения ранее неизвестного семейства слоистых электрон-дефицитных висмутидов – аналогов железосодержащих сверхпроводников. Монокристаллы семейства 122 общей формулы ATM2Bi2, где A – щелочной металл (калий, рубидий, цезий), TM – переходный металл (цинк, кадмий), были выращены из висмутового расплава в ходе его медленного охлаждения. Структурное исследование показало, что полученные соединения проявляют интересную особенность: при переходе от производных цинка к производным кадмия происходит существенное сближение слоев, которое способствует взаимодействию атомов висмута из соседних слоев между собой. Для синтезированных висмутидов также характерно отклонение количества приходящихся на элементарную ячейку валентных электронов в меньшую сторону от обычного значения. Исследователи предполагают, что выявленные особенности проявятся в необычных физических свойствах соединений. Результаты работы, поддержанный грантом Минобрнауки России в рамках нацпроекта «Наука и университеты», опубликованы в специальном выпуске журнала Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie, посвященном 100-летию со дня рождения Рудольфа Хоппе, одного из основателей химии твердого тела в Европе. Shilov A. I., Pervakov K. S., Lyssenko K. A., Vlasenko V. A., Efremov D. V., Aswartham S., Simonov S. V., Morozov I. V., Shevelkov A. V. Synthesis and crystal growth of novel layered bismuthides ATM2Bi2 (A=K, Rb, Cs; TM=Zn, Cd), electron-deficient compounds with the ThCr2Si2 structure. Z. Anorg. Allg. Chem. 2023, 649. DOI: 10.1002/zaac.202200298. onlinelibrary.wiley.com/doi/10.…02200298 Источник: Российская академия наук #российскаянаука #науказарубежом
Synthesis and crystal growth of novel layered bismuthides ATM2Bi2 (A=K, Rb, Cs; TM=Zn, Cd), electron‐deficient compounds with the ThCr2Si2 structure

We report crystal growth and characterization of 4 new ternary layered bismuthides with compositions KZn2Bi2 (I), RbZn2Bi2 (II), RbCd2Bi2 (III), and CsCd2Bi2 (IV) that belong to the vast 122 family o...

Wiley Online Library