Композиты GaSb–MnSb для создания новых полупроводниковых устройств Ученые из Физического института им. П.Н. Лебедева РАН, Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Университета науки и технологий МИСиС, НИЦ "Курчатовский институт", Московского физико-технического института, Института общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН изучили композитные образцы системы GaSb – MnSb, синтезированные как в режиме естественной кристаллизации расплава, так и с постростовой закалкой. Прецизионные измерения магнитооптики и гальваномагнитных эффектов магнитомягкого ферромагнетика MnSb позволили уточнить границы существования этой фазы и оптимизировать ее функциональные свойства. Результаты работы, поддержанной Российским научным фондом (грант № 21-73-20220), опубликованы в журнале Journal of Magnetism and Magnetic Materials и могут быть использованы для разработок полупроводниковых устройств, работающих с разными спиновыми степенями свободы. L.N. Oveshnikov, A.B. Granovsky, M. Jaloliddinzoda, L.A. Morgun, A.B. Davydov, E.A. Gan’shina, N.N. Perova, A.L. Vasiliev, A.V. Ovcharov, A.M. Kharlamova, E.I. Nekhaeva, A.I. Ril’, I.M. Pripechenkov, E.S. Kanazakova, S.F. Marenkin, B.A. Aronzon. Characterization of the quenched GaSb–MnSb composites with high fraction of the ferromagnetic component, 2023, 565, 170242. DOI: 10.1016/j.jmmm.2022.170242 www.sciencedirect.com/science…22011271 #российскаянаука #ионх