BM и Samsung объявили о разработке новой технологии компоновки чипов на основе вертикальных полевых транзисторов (VTFET). Анонс состоялся на полупроводниковой конференции IEDM, открывшейся в Сан-Франциско. Уже на первом этапе разработки такая система оказалась способна удвоить производительность микросхем или снизить их энергопотребление на 85%. Технология позволит обойти закон Мура и, в частности, создать смартфоны, работающие неделю без подзарядки, рассказали в IBM. В перспективе же технология позволит пройти рубеж в 1 нм.