Глава Intel пообещал чипы с триллионом транзисторов к концу десятилетия. Генеральный директор Intel Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) выступил с докладом на ежегодной конференции Hot Chips, которая в этом году проходит в виртуальной форме. Во время своего выступления он говорил о грядущей эре производства чипов с триллионами транзисторов. Intel по-прежнему считает, что будущее за её технологиями и процессорами из нескольких кристаллов. По словам Гелсингера, этот шаг знаменует собой переход от эры производства отдельных пластин к тому, что он называет эрой системного производства, которое будет обеспечиваться сочетанием достижений в области производства кремниевых пластин, упаковки микросхем и программного обеспечения. Движущей силой сейчас является то, что заказчики хотят не просто больше чипов, им нужны более мощные чипы, так как модели ИИ постоянно усложняются, а объёмы данных увеличиваются. Intel ожидает, что к 2030 году будет покорён рубеж в триллион транзисторов в одном чипе (который будет состоять из нескольких кристаллов). «Сегодня в корпусе процессора собрано около 100 миллиардов транзисторов, и мы видим, что к концу десятилетия мы сможем достичь триллиона, — сказал Гелсингер. — С RibbonFET у нас есть принципиально новая транзисторная структура, которую мы только собираемся создать, и которая, как мы считаем, будет продолжать масштабироваться до конца десятилетия». RibbonFET — это новая версия архитектуры транзистора с круговым затвором Gate-All-Around (GAA), в которой материал затвора замкнут в кольцо вокруг проводящего канала.