3-нм процессоры Samsung: на 30% мощнее при том же энергопотреблении В отличие от предыдущего поколения (5-нм) на базе архитектуры FinFET, новинка получила дизайн MBCFET с применением нанолистов для создания транзисторов. Благодаря этому чипы при меньшей на 35% площади демонстрируют повышенную на 30% производительность при том же энергопотреблении или пониженное на 50% энергопотребление при той же производительности.